Новости партнеров

Малогабаритный частотомер с питанием от литиевого элемента
     Прототипом этого прибора послужил частотомер, описанный в статье И. Котова («Радио», 2008, № 2, с. 21, 22). Переделка свелась к замене батареи питания 6F22 литиевым ...
Microchip. Информацинный каталог. 2014
Название: Microchip. Информацинный каталог Год издания: 2014 Страниц: 88 Формат: djvu Размер: 17,34 MB Описание: Предлагаем вашему вниманию очередное издание информационного каталога ...
Microcontrollers From Assembly Language to C Using the PIC24 Family
Название: Microcontrollers From Assembly Language to C Using the PIC24 Family Автор: Robert Reese, J.W. Bruce, Bryan A. Jones Год издания: 2009 Страниц: 865 Формат: pdf Размер: 9,58 MB ...


Фирма Atmel хорошо известна на мировом и российском рынке как производитель широкого спектра микросхем, содержащих энергонезависимую память на кристалле. Например, микросхемы программируемой логики серий ATF16V8/20V8/22V10 и AFT15xx содержат EEPROM ПЗУ конфигурации, микроконтроллеры АТ89С имеют Flash ПЗУ программ, а AVR-микроконтроллеры используют и Flash, и EEPROM на одном кристалле. В перечне микросхем фирмы Atmel есть, например, двухбанковая Flash-память, поддерживающая пакетный режим, а также «слоеные» микросхемы, где в одном корпусе, но на разных «слоях» размещаются кристаллы параллельной ПЗУ, последовательной ПЗУ и ОЗУ. Данная статья, не претендующая на исчерпывающую полноту изложения, посвящена микросхемам ПЗУ фирмы Atmel в «чистом виде».

Фирма Atmel - новатор в производстве микросхем энергонезависимой памяти: она первая в 1989 году выпустила микросхемы Flash-памяти с напряжением программирования 5 В; первая в мире стала производить Flash-память на 3,3, 2,7 и 2,5 В; в 1997 году корпорация Atmel первая предложила Flash-память с последовательным интерфейсом. И список можно продолжать...



Интегральные датчики температуры (ИДТ) и прецизионные источники опорного напряжения (ИОН) широко применяются в электронной аппаратуре. С одной стороны, это связано с необходимостью обеспечения требуемых характеристик аппаратуры в широком диапазоне температур и питающих напряжений, а с другой - с проблемой обеспечения оптимальных тепловых параметров элементов и защиты их от перегрева и потери точности, связанных с нарушением режима питания. Компания National Semiconductor - один из мировых лидеров в разработке и производстве интегральных микросхем (ИМС) датчиков температуры и прецизионных источников опорного напряжения, которые в огромном количестве используются в различных изделиях электронной техники, выпускаемых многими фирмами, в том числе и в России.



В данной статье речь идет о новых мощных ВЧ и СВЧ полевых (DMOS) генераторных транзисторах, разработанных и освоенных на Воронежском ФГУП «НИИ электронной техники».

Мощные кремниевые ВЧ и СВЧ транзисторы в дискретном конструктивном исполнении по-прежнему остаются основными и незаменимыми активными элементами передающих устройств различных средств телекоммуникаций (1). В настоящее время наиболее динамично развивается разработка и применение мощных полевых транзисторов. Возможность реализации более высоких по сравнению с биполярными транзисторами входных сопротивлений делает полевые транзисторы более универсальными при работе в широкой полосе частот и упрощает схемотехнические задачи сложения динамической мощности. В сравнении с мощными кремниевыми биполярными транзисторами в полевых транзисторах практически отсутствует механизм тепловой и электрической неустойчивости. Эти свойства полевых транзисторов делают их привлекательными при построении генераторных усилителей мощности.

В данной статье описан один из методов уменьшения размера балластных резисторов, включаемых между двумя идентичны/ми DC/DC-преобразователями, которые благодаря этим резисторам работают на одну нагрузку.

В некоторых устройствах может оказаться более выгодным или полезным по соображениям тепловыделения использовать два параллельно включённых DC/DC-преобразователя на малый ток для питания нагрузки, требующей большого тока, вместо использования одного преобразователя на большой номинальный ток. Однако все DC/DC-преобразователи стабилизируют своё выходное напряжение (в пределах своего максимально допустимого тока) на уровне номинала (VDCx) ± процент допуска (TOLDC/DC). Таким образом, простое подключение выходов двух преобразователей к одной нагрузке не всегда позволяет разделить токи поровну между двумя преобразователями, поскольку преобразователь с более высоким выходным напряжением, равным VDCx*(1 + TOLDC/DC), пытается обеспечить весь ток в нагрузке, пока не достигает своего ограничения по току. Как показано на рисунке 1, для согласования разницы стабилизированных выходных напряжений преобразователей необходимы балластные резисторы (RSHARE), распределяющие нагрузку и располагающиеся между стабилизированными выходами каждого из преобразователей и нагрузкой. В статье описан один из методов уменьшения номинала балластных резисторов, включаемых между двумя идентичными DC/DC-преобразователями, которые благодаря этим резисторам работают на одну нагрузку. Минимизация балластных резисторов важна с точки зрения минимизации потерь мощности на этих резисторах, а также для минимизации падения напряжения VDROP = IDCx*RSHARE, снижающего напряжение на нагрузке, VO.

Цель статьи - привлечь внимание разработчиков систем управления технологического оборудования к появлению на рынке отечественных бесконтактных выключателей, не отличающихся по своим параметрам от зарубежной продукции. Предлагается описание преимуществ и особенностей применения новой серии таких выключателей.

Оптические датчики

Полевые транзисторы, диоды и другие электронные приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами. Среди них - возможность работы при температурах до 600 °С, высокое быстродействие и высокая радиационная стойкость.

Тенденция последних лет к миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры предъявляет жесткие требования к вторичным источникам электропитания (ИВЭП) в части увеличения их удельной мощности без потерь функциональных возможностей. Это в свою очередь требует повышения эффективности ИВЭП, снижения тепловой нагрузки элементов при одновременном уменьшении объема, увеличении частоты преобразования, снижения электромагнитных и радиопомех. Для достижения указанных целей помимо новых схемотехнических решений, снижающих потери в ИВЭП, требуется улучшать и характеристики силовых полупроводниковых приборов.

Нелинейные сегнетоэлектрические кристаллы с октаэдрическими группами в настоящее время широко применяются в приборах твердотельной электроники в качестве модуляторов, удвоителей частоты лазерного излучения, резонаторов, фильтров и т. д.

В соответствии с современными теоретическими представлениями (1-3) многие физические свойства сегнетоэлектриков непосредственным образом связаны с колебательными спектрами. Одним из наиболее эффективных методов исследования таких спектров является лазерная спектроскопия комбинационного рассеяния света (КРС).

В данной работе излагаются результаты исследований связи параметров низкочастотного комбинационного и квазиупругого рассеяния света и качества сегнетоэлектрического кристалла ниобата лития (LiNbO3); как интегральная характеристика качества кристалла используется его акустическая добротность.