Книги по радиоэлектронике

Новости партнеров

Малогабаритный частотомер с питанием от литиевого элемента
     Прототипом этого прибора послужил частотомер, описанный в статье И. Котова («Радио», 2008, № 2, с. 21, 22). Переделка свелась к замене батареи питания 6F22 литиевым ...
Microchip. Информацинный каталог. 2014
Название: Microchip. Информацинный каталог Год издания: 2014 Страниц: 88 Формат: djvu Размер: 17,34 MB Описание: Предлагаем вашему вниманию очередное издание информационного каталога ...
Microcontrollers From Assembly Language to C Using the PIC24 Family
Название: Microcontrollers From Assembly Language to C Using the PIC24 Family Автор: Robert Reese, J.W. Bruce, Bryan A. Jones Год издания: 2009 Страниц: 865 Формат: pdf Размер: 9,58 MB ...


Фирма STMicroelectronics, исследовав возможности технологии Mesh Overlay, разработала и оптимизировала серию транзисторов SuperMESH. В транзисторах этой серии между выводами затвора и истока были добавлены защитные стабилитроны.

Первыми транзисторами из этой серии стали STP13NK60Z, 600-вольтный MOSFET с типовым сопротивлением «сток - исток» в открытом состоянии RСИ.отк, равным 460 мОм, и 500-вольтный STP14NK50Z с сопротивлением 330 мОм. Оба транзистора выпущены в корпусе ТО-220.

Транзисторы MOSFET серии SuperMESH (семейство NK) отличаются от предыдущего поколения транзисторов более низким сопротивлением «сток-исток» в открытом состоянии. Таким образом, потребитель может получить дополнительную экономию за счет использования меньшего радиатора, что ведет к экономии места на плате, упрощению технологии, уменьшению массы и габаритов изделия и т. д.



Считается, что воздействие электростатических разрядов (ЭСР) на полу: проводниковые изделия приводит к двум типам отказов: «катастрофическим» и «параметрическим». Как показывает практика, отличить параметрические отказы, вызванные ЭСР, и отказы, вызванные электрическими перегрузками во время работы РЭА, достаточно сложно (1, 2).

Автором была поставлена задача изучить процесс деградации электрических параметров кремниевых биполярных маломощных транзисторов КТ361Е2 под воздействием ЭСР с использованием моделей авторегрессии проинтегрированного скользящего среднего (АРПСС-модель) (3, 4).

Для эксперимента было отобрано 9 транзисторов КТ361Е2 (кремниевые биполярные транзисторы p-n-р-проводимости), имеющие значение коэффициента усиления, не выходящее за рамки технических условий (50ч350). Коэффициент усиления β по ТУ ограничен сверху и снизу. Выход β за границы отказовых уровней считается параметрическим отказом.



Микросхемы для импульсных источников питания (SMPS) выпускает большое число компаний, что нередко не позволяет разработчикам сделать осознанный выбор конкретных типов микросхем при разработке импульсных источников питания. Для некоторого прояснения ситуации автором был проведен анализ применяемости микросхем в источниках питания бытовой аппаратуры и офисной техники Panasonic. В результате анализа сервисной документации нескольких десятков моделей DVD-проигрывателей и рекордеров фирмы выяснилось, что в их импульсных источниках питания в основном используются микросхемы нескольких определенных производителей, либо они построены на дискретных компонентах.

Из практики ремонта известно, что выход из строя микросхем SMPS - наиболее распространенная причина отказов техники. Panasonic выпускает бытовую аппаратуру миллионными тиражами, и надежность источников питания для нее должна быть на высоком уровне. В DVD-проигрывателях и рекордерах Panasonic, вошедших в обзор, применены микросхемы SMPS фирм Sanken, Fuji Electric, Shindengen, Infineon и некоторых других. В микросхемах серий CoolSET Infineon и некоторых микросхемах серии MR5000 Shindengen используются полевые транзисторы CoolMOS (зарегистрированная торговая марка Infineon), микросхемы SMPS этих фирм и являются предметом рассмотрения.

В статье описана процедура разработки макромодели функционально сложной микросхемы для симулятора LTspiceSwitcherCADIII с использованием поведенческого моделирования.

Компьютерное моделирование, в частности моделирование электронных и электрических схем, не только позволяет существенно сократить время и затраты на разработку устройства, но и является при этом чрезвычайно увлекательным занятием.

Коммерческие программы моделирования в электронике, такие как OrCAD, Proteus, Micro-Cap, Multisim (Electronics Workbench), недоступны для многих предприятий, не говоря о пользователях-одиночках. Демонстрационные или студенческие версии программ имеют существенные ограничения, не позволяющие создавать сложные проекты.

Бесплатная программа моделирования LTspiceSwitcherCADIII фирмы Linear Technology имеет более скромные, но вполне достаточные для многих видов анализа возможности. Авторы программы заявляют ее назначение следующим образом.

Последние достижения в технологии изготовления источников питания обеспечивают уменьшение их габаритных размеров, массы и рост КПД энергопреобразования по сравнению с их аналогами, которые выпускались всего несколько лет назад. Приборы этого нового класса обычно работают на высоких частотах в диапазоне от 20 до 100 кГц и практически вытеснили все прежние модели источников питания в промышленности, которые работали от сети переменного тока, в том числе даже модели с высоким уровнем выходной мощности.

Следует отметить, что для работы с высоковольтными источниками питания допускается только квалифицированный, специально подготовленный персонал, знакомый со всеми возможными опасностями высокого напряжения.

За рубежом основным документом по соблюдению правил техники безопасности является стандарт IEEE 510-1983 «Recommended Practices for Safety in high voltage and high voltage testing» (Рекомендуемые правила по технике безопасности при проведении испытаний, связанных с большими уровнями напряжения и мощности).

Исторически для питания электронной аппаратуры чаще всего использовались 2 вида напряжения - 5 и 12 В. По мере снижения напряжения питания микросхем и увеличения количества стандартных номинальных значений на рынке появляется все больше низковольтных модульных и одноплатных источников питания.

Уменьшение напряжения питания сопровождается соответствующим ростом тока потребления, приводящим к увеличению рассеиваемой мощности. Предотвращение перегрева отдельных частей является общей проблемой современного рынка источников питания. Использование позисторных чипов компании Murata позволяет детектировать повышенное тепловыделение отдельных компонентов электронной схемы, причем качество мониторинга температуры существенно возрастает при контроле 2 и более зон локального перегрева на печатной плате.

Первая версия спецификации популярного интерфейса CAN выпущена фирмой Bosсh в 1987 году. Интерфейс предназначался для бортовых систем автомобилей. В это время появилась настоятельная необходимость организации обмена данными между распределенными по автомобилю приборами, датчиками, исполнительными механизмами. Применявшиеся до этого, не объединенные в единый интерфейс, аналоговые и дискретные линии связи (доставляющие сигналы «как есть») перестали справляться с резко возросшим потоком данных. Количество сигналов превысило разумный для такого рода решений предел (рис. 1). Специфика автомобильных кабельных сетей (ограничения на толщину кабелей и механические воздействия на них) еще более усугубила эту проблему.